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GWA40MS120DF4AG
1.2kV 80A
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- 描述
- 该器件是一款采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。该器件属于MS系列IGBT，该系列是低损耗M系列的改进版本，凭借其在高母线电压值下出色的短路能力，特别为逆变器系统而设计。此外，其VCE(sat)温度系数略呈正特性，且参数分布极为紧密，这使得并联运行更加安全
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- GWA40MS120DF4AG
- 商品编号
- C23864667
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 536W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@2mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 147nC | |
| 输入电容(Cies) | 2.7nF@25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 开启延迟时间(Td(on)) | 35ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 140ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.5mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 465ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |