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PT2305
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。应用：低侧负载开关。 电池开关
- 品牌名称
- HT(金誉)
- 商品型号
- PT2305
- 商品编号
- C23856992
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 415pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 223pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- 低端负载开关
- 电池开关
- 针对便携式产品的电源管理应用进行优化,如航模、移动电源、无刷电机、主板等