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SPI（串行外设接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储核心，为嵌入式系统提供了一种超低成本且高密度的非易失性存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的有吸引力的替代方案，具有先进的特性。

• 总引脚数为8，包括VCC和GND
• 容量为2Gb
• 与SPI-NOR相比，具有卓越的写入性能和每比特成本优势
• 比并行NAND成本显著降低

这种低引脚数的NAND闪存遵循行业标准的串行外设接口，并且从一种容量到另一种容量始终保持相同的引脚输出。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能并添加了新特性。兆易创新的SPI NAND是一种易于集成的NAND闪存，具有特定设计的特性以简化主机管理：

• 用户可选择的内部ECC。在页面编程操作期间，ECC奇偶校验在内部生成。当页面被读取到缓存寄存器时，会检测ECC奇偶校验并在必要时纠正错误。即使启用内部ECC，也有64字节的备用区域可用。设备输出纠正后的数据并返回ECC错误状态。
• 具有内部ECC的内部数据移动或回写。设备可以轻松刷新并管理垃圾回收任务，无需数据的移入和移出。此命令字符串仅可用于具有相同奇偶属性的块。
• 具有内部ECC的上电读取。设备上电后会自动将第一个块的第一页读取到缓存中，然后主机可以直接从缓存中读取数据以实现轻松启动。此外，当启用ECC时，内部ECC保证数据的正确性。

它以基于页面的操作进行编程和读取，以基于块的操作进行擦除。数据逐页在NAND闪存存储阵列与数据寄存器和缓存寄存器之间传输。缓存寄存器最接近I/O控制电路，用作I/O数据的数据缓冲区；数据寄存器最接近存储阵列，用作NAND闪存存储阵列操作的数据缓冲区。

• 2Gb SLC NAND闪存
• 页面大小：
  • 内部ECC开启（ECC_EN = 1，默认）：页面大小为2048字节 + 64字节
  • 内部ECC关闭（ECC_EN = 0）：页面大小为2048字节 + 128字节
• 标准、双、四SPI，DTR：
  • 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
  • 双SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#
  • 四SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
  • DTR（双倍传输速率）读取：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3
• 高速时钟频率：
  • 3.3V：标准/双/四SPI为133MHz，DTR四SPI为104MHz
  • 1.8V：标准/双/四SPI为104MHz，DTR四SPI为80MHz
• 软件/硬件写保护：
  • 通过软件对全部或部分存储器进行写保护
  • 用WP#引脚进行寄存器保护
  • 电源锁定保护
• 单电源电压：
  • 1.8V的全电压范围为1.7V ~ 2.0V
  • 3.3V的全电压范围为2.7V ~ 3.6V
• 高级安全特性：20K字节OTP区域
• 编程/擦除/读取速度：
  • 页面编程时间：典型值320μs
  • 块擦除时间：典型值3ms
  • 页面读取时间：最大值120μs
• 低功耗：
  • 最大工作电流30mA
  • 最大待机电流50μA
• 增强的访问性能：2K字节缓存用于快速随机读取
• NAND的高级特性：
  • 出厂良好块0
  • 深度掉电（仅1.8V）
• 可靠性：
  • 带ECC的P/E循环：典型值80K
  • 数据保留时间：10年
• 内部ECC：每528字节8位