USBQNM50424CE3/TR7
USBQNM50424CE3/TR7
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- USBQNM50424CE3/TR7
- 商品编号
- C2443481
- 商品封装
- QFN-143(2.5x2.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 24V | |
| 钳位电压 | 43V;57V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 500W@8/20us | |
| 击穿电压 | 26.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 1uA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4;IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 3pF |
商品概述
这款瞬态电压抑制器(TVS)采用无磁性QFN - 143封装,其引线框架100%不含铁。它与SOT - 143封装的引脚排列和占位面积相同,适用于磁共振成像(MRI)设备及其他不允许使用铁磁性金属的磁性环境中的应用。该配置可为1条双向数据或接口线路提供保护。其设计用于需要在电路板级对由静电放电(ESD,符合IEC 61000 - 4 - 2标准)、电快速瞬变(EFT,符合IEC 61000 - 4 - 4标准)以及雷电二次效应引起的电压瞬变进行低电容保护的应用。这些TVS阵列对于8/20 μs脉冲的峰值功率额定值为500瓦。该器件电容仅为3 pF,可为包括900 Mbits/sec的USB在内的高速数据线提供保护。
商品特性
- 保护1条双向线路
- 符合IEC 61000 - 4 - 2和IEC 61000 - 4 - 4标准的浪涌保护
- 超低电容
- 薄型表面贴装封装
- 提供符合RoHS标准的版本
应用领域
- EIA RS485数据速率:5 Mbps
- 10 Base - T以太网
- USB数据速率900 Mbps
- 无磁性,适用于MRI应用
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
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