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R5527K001D-TR

R5527K001D TR

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品牌名称: Nisshinbo
商品型号: R5527K001D-TR
商品编号: C2442359
商品封装: TDFN-4-EP(1.2x1.6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

R5527K 是一款 N 沟道负载开关 IC，供电电流低，典型值为 40μA。R5527K 通过使用 N 沟道晶体管作为驱动器实现低导通电阻。此外，R5527K001x 在导通/关断状态下具备反向电流阻断功能，R5527K002x 在关断状态下具备反向电流阻断功能。R5527K 是一款理想的负载开关 IC，可用于从电池向负载电路供电。R5527K 采用超小型 DFN (PLP)1612 - 4D 封装，可实现电路板的高密度安装。

商品特性

输入电压范围：1.8V 至 5.5V
典型导通电阻：48mΩ（VIN = 5V）、46mΩ（VIN = 4.5V）、45mΩ（VIN = 3.8V）、68mΩ（VIN = 1.8V）
上升时间 tR 实现压摆率/浪涌电流控制：最小值 1.5ms
最大连续电流能力 3A
低关断开关电流：最大值 1μA（R5527K00xB/D）、最大值 2μA（R5527K001A/C）
反向电流阻断（RCB）：导通/关断状态（R5527K001x）、关断状态（R5527K002x）
封装：DFN(PLP)1612 - 4D

应用领域

智能手机
平板电脑存储设备
便携式设备

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	低侧开关
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效

	属性	参数值
	工作电压	1.8V~5.5V
	导通电阻	48mΩ
	工作温度	-40℃~+85℃