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NTMFS0D9N04XMT1G
N沟道 耐压:40V 电流:273A
- 描述
- 特性：低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低电容，以最小化驱动损耗。 小尺寸（5x6 mm），设计紧凑。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：电机驱动。 电池保护
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D9N04XMT1G
- 商品编号
- C23600629
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.61克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 273A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.918nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.793nF |
商品特性
~~- 先进沟槽工艺技术-用于超低导通电阻的高密度单元设计
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关