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IXFH60N65X2W实物图
  • IXFH60N65X2W商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFH60N65X2W

650V N沟道增强型功率MOSFET

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私有库下单最高享92折
描述
特性:国际标准封装。 低RDS(on)和Q_G。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFH60N65X2W
商品编号
C23570376
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))52mΩ@10V
耗散功率(Pd)780W
阈值电压(Vgs(th))5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)108nC@10V
输入电容(Ciss)6.3nF
反向传输电容(Crss)1.7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.54nF

商品特性

  • 国际标准封装
  • 低RDS(ON)和 QG
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-开关模式和谐振模式电源-DC-DC 转换器-PFC 电路-交流和直流电机驱动器-机器人和伺服控制

数据手册PDF