EMMC64G-TY29-5B102
EMMC64G-TY29-5B102
- 描述
- IC FLASH 512GBIT EMMC 153FBGA
- 品牌名称
- Kingston(金士顿)
- 商品型号
- EMMC64G-TY29-5B102
- 商品编号
- C23504861
- 商品封装
- FBGA-153(11.5x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | eMMC | |
| 配置 | pSLC | |
| 接口类型 | eMMC 5.1 | |
| 存储容量 | 64GB | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 顺序读速度 | 310MB/S |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 顺序写速度 | 220MB/S | |
| NAND工作电压(VCCF) | 2.7V~3.6V | |
| 控制器工作电压(VCCQ) | 2.7V~3.6V；1.7V~1.95V | |
| NAND待机电流 | - | |
| 控制器待机电流 | - | |
| 功能特性 | 增强型写保护功能；硬件复位功能；ECC纠错功能；掉电数据保护功能；内置磨损均衡功能；坏块管理功能；安全擦除功能；安全写保护功能 |
商品概述
金士顿的e·MMC™产品符合JEDEC e·MMC™ 5.1标准。这些设备是许多商业和工业应用的理想通用存储解决方案。在单个集成封装设备中，e·MMC™将三级单元（TLC）NAND闪存与板载e·MMC™控制器相结合，为主机系统提供了行业标准接口。集成的e·MMC™控制器直接管理NAND闪存介质，从而减轻了主机处理器的这些任务，包括闪存介质错误控制、损耗均衡、NAND闪存管理和性能优化。JEDEC e·MMC™标准的未来修订版将始终保持向后兼容性。与主机处理器的行业标准接口也确保了跨未来NAND闪存世代的兼容性，从而在整个产品生命周期内简化了产品维护。
金士顿的e·MMC™产品支持多种配置，可根据您的特定应用需求定制e·MMC™设备。以下描述的最受欢迎的配置均以标准零件编号提供。
标准TLC – 默认情况下，e·MMC™设备以标准TLC模式配置NAND闪存。此配置为许多应用提供了合理的性能和可靠性。
伪单级单元（pSLC） – 金士顿e·MMC™设备中的TLC NAND闪存可配置为在标准TLC配置的基础上进一步提高设备耐久性、数据保留、可靠性和性能。这是通过将NAND TLC单元转换为伪单级单元（SLC）配置来实现的。在此配置中，随着性能和可靠性的提高，设备容量会减少2/3。这种一次性配置是通过为硬件分区设置e·MMC™增强属性来实现的。
金士顿e·MMC™可以预配置为可靠写入或pSLC选项，无需额外费用。标准TLC设备也可以通过遵循JEDEC e·MMC™规范中概述的程序在现场进行一次性配置。JEDEC e·MMC™规范允许进行许多其他配置，例如最多4个额外的通用（GP）硬件分区，每个分区都可以选择支持pSLC和可靠写入。此外，金士顿提供内容加载服务，可以简化您的产品组装，同时降低生产成本。
金士顿e·MMC™设备完全符合JEDEC标准规范No. JESD84 - B51。本数据表提供了金士顿e·MMC™设备系列的技术规格。有关e·MMC™设备功能和操作的具体信息，请参考JEDEC e·MMC™标准。
TLC模式使用PS8229 - 采用前沿3D NAND闪存技术的TLC模式，额定耐力周期为3000次。
- 采用LDPC错误控制实现强大的数据保护
- 通过端到端数据保护提高数据完整性
pSLC模式使用PS8229 - 采用前沿3D NAND闪存技术的pSLC模式，额定耐力周期为50000次。
- 采用LDPC错误控制实现强大的数据保护
- 通过端到端数据保护提高数据完整性
商品特性
- 采用e - MMC™ 5.1接口的封装管理NAND闪存
- 与所有先前的e - MMC™规范版本向后兼容
- 153球JEDEC FBGA符合RoHS标准的封装
- 工作电压范围：VCCQ = 1.8V / 3.3V，VCC = 3.3V
- 工作温度：-25°C ~ +85°C，存储温度：-40°C ~ +85°C
- 符合e - MMC™ 5.1 JEDEC标准编号JESD84 - B51
- 工厂配置伪单级单元（pSLC）模式，以提高可靠性和性能
- 工厂配置可靠写入
- 高速e·MMC™协议
- 可变时钟频率为0 - 200MHz
- 十线总线接口（时钟、1位命令、8位数据总线），可选硬件复位
- 支持三种不同的数据总线宽度：1位（默认）、4位、8位
- 总线模式：
- 单数据传输速率：最高52MB/s（在52MHz下使用8条并行数据线）
- 双数据速率模式（DDR - 104）：在52MHz下最高104MB/s
- 高速单数据速率模式（HS - 200）：在200MHz下最高200MB/s
- 高速双数据速率模式（HS - 400）：在200MHz下最高400MB/s
- 支持备用启动操作模式，提供简单的启动序列方法
- 支持SLEEP/AWAKE（CMD5）
- 主机发起的显式睡眠模式以节省电源
- 增强的写保护，具有永久和部分保护选项
- 多个用户数据分区，具有增强属性以提高可靠性
- 无错误内存访问
- 循环冗余码（CRC），用于可靠的命令和数据通信
- 内部纠错码（ECC），用于提高数据存储完整性
- 内部增强的数据管理算法
- 编程操作期间突发电源故障的数据保护
- 安全：
- 安全坏块擦除命令
- 增强的写保护，具有永久和部分保护选项
- 睡眠时的电源关闭通知
- 现场固件更新（FFU）
- 生产状态感知
- 设备健康报告
- 命令排队
- 增强的选通
- 缓存刷新报告
- 缓存屏障
- 后台操作控制和高优先级中断（HPI）
- RPMB吞吐量改进
- 安全写保护
- 预EOL信息
- 最佳尺寸