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G1K1P06LH
P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:60V 电流:4.5A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-4.5A 阈值电压(Vgs(th))：-4.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：93mΩ@10V 封装：DFN3X3-8L Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G1K1P06LH
- 商品编号
- C23205990
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034831克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
G1K1P06LH采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -60V
- ID ( VGS = -10 V 时) -4.5A
- RDS(ON)( VGS = -10V 时) < 110 m Ω
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器