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2EDL5013U2DXTMA1
高低侧栅极驱动IC，具备独立高低侧TTL逻辑输入、集成自举开关等特性
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2EDL5013U2DXTMA1
- 商品编号
- C23120499
- 商品封装
- TSNP-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpLH | 20ns | |
| 传播延迟 tpHL | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.4V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.25V~1.6V | |
| 静态电流(Iq) | 90uA | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
2EDL50X3U2D是一款半桥栅极驱动器，用于在同步降压或半桥配置中驱动高端和低端MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在高达120V自举电压下的高端MOSFET。高端偏置电压通过内部自举开关采用自举技术生成，该开关由低端PWM控制。2EDL5013U2D中实现了有源自举钳位机制，以避免在死区时间内自举电容过充电。驱动器的输入与TTL逻辑兼容，能够承受高达5.9V的输入电压。栅极输出是分开的，可独立灵活调整导通和关断强度，并且在两个输出端都实现了有源米勒钳位，以避免感应导通现象。2EDL50X3U2D采用TSNP - 12引脚2mm×2mm封装。
商品特性
- 独立的高端和低端TTL逻辑输入
- 高端和低端驱动器均具备欠压锁定（UVLO）功能
- 集成自举开关
- 有源自举钳位，避免死区时间内自举电容过充电（2EDL5013U2D）
- 绝对最大自举电压为120V
- 分离输出，可调节导通/关断驱动强度
- 2A至3A峰值源电流，5A峰值灌电流能力
- 内置有源米勒钳位
- 低端上拉电阻1.5Ω，下拉电阻0.5Ω
- 高端上拉电阻0.9Ω，下拉电阻0.5Ω
- 快速传播延迟（典型值20ns）
- 典型传播延迟匹配1ns
- 电源电压工作范围4.5V至5.5V
- 采用TSNP - 12 2×2封装
应用领域
- 电信/数据通信半桥和全桥电源转换器
- 降压转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- D类放大器
- D类无线充电