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IMBG120R181M2HXTMA1
IMBG120R181M2HXTMA1
- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V（TVj = 25℃时）。 IDDC = 10.5 A（Tc = 100℃时）。 RDS(on) = 181.4 mΩ（VGS = 18 V，TVj = 25℃时）。 极低的开关损耗。 过载运行可达TVj = 200℃。 短路耐受时间2 μs。应用：EV充电。 在线UPS/工业UPS
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMBG120R181M2HXTMA1
- 商品编号
- C23040258
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.7nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 181.4mΩ |
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