温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FGHL60T120RWD
N沟道场截止型IGBT
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- FGHL60T120RWD采用新型场截止第七代IGBT技术和Gen7二极管，采用TO247三引脚封装，具有低传导损耗和良好的开关可控性，能实现最佳性能，可在电机控制、UPS、数据中心和高功率开关等各种应用中高效运行。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGHL60T120RWD
- 商品编号
- C22969010
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 6.933333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 833W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.8V@60A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.9V@60mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 256nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.128nF@600V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 48ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 290ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.9mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.8mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 183ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |