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ISC110N12NM6ATMA1实物图
  • ISC110N12NM6ATMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISC110N12NM6ATMA1

N沟道、低导通电阻、低反向恢复电荷的OptiMos 6功率MOSFET

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商品型号
ISC110N12NM6ATMA1
商品编号
C22955674
商品封装
TDSON-8​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)120V
连续漏极电流(Id)62A
导通电阻(RDS(on))9.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)94W
阈值电压(Vgs(th))3.1V
栅极电荷量(Qg)15.4nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)330pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的反向恢复电荷(Qrr)
  • 高雪崩能量额定值
  • 工作温度达175°C
  • 针对高频开关和同步整流进行优化
  • 引脚无铅电镀;符合RoHS标准
  • 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
  • 根据J-STD-020标准为1级湿敏等级

应用领域

  • 直流-直流转换器-便携式设备和电池-电源开关

数据手册PDF