WSR160N20
N沟道MOSFET,电流:160A,耐压:200V
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- 描述
- N沟道 200V 160A,可应用于适配器、电源、医疗设备、工控设备、LED控制器、PD、大家电、音响设备、无人机、电机、BMS
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSR160N20
- 商品编号
- C22751512
- 商品封装
- TO-220-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.784克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 329W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 174nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.678nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11.678nF |
