温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
WSK26N20
耐压:200V 电流:26A
- 描述
- N沟道 200V 26A，可应用于电子烟、无线充、电机、BMS、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、3D打印机、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSK26N20
- 商品编号
- C22751511
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.672克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.318nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
WsF7N65是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 WsF7N65符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100% EAS保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-不间断电源(UPS)-功率因数校正(PFC)