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WSF85P06
P沟道 耐压:60V 电流:85A
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- 描述
- P沟道 -60V -85A，可应用于电子烟、无线充、电机、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF85P06
- 商品编号
- C22751504
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.416克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.068nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 281pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
WSR160N20是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数器件提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷，适用于电池保护或其他开关应用。WSR160N20符合RoHS和绿色产品要求，100%通过易感性评估（EAS），具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制
- 100%耐雪崩测试(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流 - 直流电源系统
- 冷阴极荧光灯管(CCFL)背光源逆变器