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WSF6032
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- N+P沟道 60V/-60V 40A/-35A，可应用于电子烟、无线充、电机、应急电源、无人机、医疗、车充、控制器、数码产品、小家电、消费类电子
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF6032
- 商品编号
- C22751502
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 119pF |
商品概述
- SJ-FET是新一代高压MOSFET系列,采用先进的电荷平衡机制,具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。-这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗,提供卓越的开关性能,并能承受极高的dv/dt速率和更高的雪崩能量。-SJ-FET适用于各种开关模式操作的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%雪崩能量(EAS)保证
- 提供绿色环保器件
应用领域
-高频负载点同步降压转换器-网络直流-直流电源系统-负载开关