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AO3407
P沟道增强型场效应管,电流:-4.6A,耐压:-30V
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- 描述
- 3407采用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{on})}$。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- ALJ(龙晶微)
- 商品型号
- AO3407
- 商品编号
- C22751455
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0361克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- N沟道：
- VDS = 20 V， ID = 5 A
- 当VGS = 4.5 V时，RDS(导通) < 28 mΩ
- 当VGS = 2.5 V时，RDS(导通) < 35 mΩ
- P沟道：
- VDS = -20 V， ID = -5 A
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(导通) < 45 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(导通) < 70 mΩ
- 开关速度极快
- 沟槽MOSFET技术
应用领域
- 开关应用
- DC/DC转换器