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NTMFS0D5N04XMT1G
N沟道 耐压:40V 电流:414A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS0D5N04XMT1G
- 商品编号
- C22677491
- 商品封装
- SO-8FL
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 414A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 163W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@240uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 97.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.267nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.454nF |
商品概述
该器件采用了全新的先进沟槽技术，具有较低的栅极电荷量，同时保持了较低的导通电阻。 该器件针对开关应用进行了优化，提高了直流/直流转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下运行。
商品特性
- 低 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 小尺寸封装(5 x 6 mm),设计紧凑
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-电机驱动-电池保护