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HIP2211FBZ-T
HIP2211FBZ-T
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- 描述
- 是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP2211FBZ-T
- 商品编号
- C22637560
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 6V~18V | |
| 上升时间(tr) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 15ns | |
| 传播延迟 tpHL | 15ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.84V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.47V | |
| 静态电流(Iq) | 390uA |