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HIP2211FBZ-T
100V 高频半桥驱动器，具备 HI/LI 或三电平 PWM 输入及可调死区时间
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- 描述
- 是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- HIP2211FBZ-T
- 商品编号
- C22637560
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 3A | |
| 工作电压 | 6V~18V | |
| 上升时间(tr) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 15ns | |
| 传播延迟 tpHL | 15ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 1.84V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.47V | |
| 静态电流(Iq) | 390uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
HIP2210和HIP2211是100V、3A源电流、4A灌电流的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211采用标准HI/LI输入，引脚与流行的Renesas桥式驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210采用三电平PWM输入，具有可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高侧自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高侧和低侧NMOS。这些驱动器具有强大的3A源电流和4A灌电流驱动能力，典型传播延迟极快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，使其非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定功能可防止欠压操作。HIP2210的PWM引脚三电平输入通过单个引脚控制高侧和低侧驱动器。当PWM输入为逻辑高电平时，高侧桥FET导通，低侧FET关断。当输入为逻辑低电平时，低侧桥FET导通，高侧FET关断。当输入电压处于中间电平状态时，高侧和低侧桥FET均关断。PWM阈值电平与VREF引脚上的外部输入参考电压成比例，允许PWM在2.7V至5.5V的逻辑电压范围内工作。HIP2210采用10引脚4×4mm TDFN封装。HIP2211提供8引脚SOIC、8引脚4×4mm DFN和10引脚4×4mm TDFN封装。
商品特性
- HIP2211可直接替换ISL2111和HIP2101，提供8引脚SOIC、8引脚DFN和10引脚TDFN封装
- 115V_DC自举电源最大电压支持半桥上的100V工作
- 用于NMOS FET的3A源电流和4A灌电流栅极驱动器
- 快速传播延迟和匹配：典型延迟15ns；典型匹配2ns（HIP2211）
- 集成典型值0.5Ω的自举二极管
- 6V至18V的宽工作电压范围
- VDD和自举欠压锁定
- 强大的抗噪能力：输入具有宽迟滞；HS引脚可承受高达-10V的连续电压
- HIP2211：HI/LI输入兼容3.3V逻辑，并具有VDD电压容限
- HIP2210：三电平PWM输入，逻辑阈值电平由外部VREF引脚在2.7V至5.5V范围内设定
- HIP2210：可编程死区时间防止直通；可通过单个电阻在35ns至350ns范围内调节
应用领域
- 电信半桥和全桥DC/DC转换器
- 三相BLDC电机驱动器；H桥电机驱动器
- 双开关正激和有源钳位转换器
- 多相PWM DC/DC控制器
- D类放大器