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YJG2D7G06A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

YJG2D7G06A

N沟道 耐压:60V 电流:120A

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描述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计,实现低导通电阻。湿度敏感度等级为1级。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
品牌名称
YANGJIE(扬杰)
商品型号
YJG2D7G06A
商品编号
C22468360
商品封装
PDFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1931克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))2.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th))2.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)49nC@10V
输入电容(Ciss)3.5nF
反向传输电容(Crss)54pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.345nF

商品特性

  • 低导通电阻
  • 出色的品质因数(FoM)
  • 100%进行UIS和Rg测试
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 负载开关
  • 电机驱动器
  • 高频开关、同步整流

数据手册PDF