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2N7002T

1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA

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描述
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA适用于电源开关和信号控制
商品型号
2N7002T
商品编号
C22466871
商品封装
SOT-523
包装方式
编带
商品毛重
0.024933克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on))900mΩ@10V,500mA
耗散功率(Pd)150mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss@Vds)50pF@25V
反向传输电容(Crss)5pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

详细信息
  • 描述

2N7002T采用先进的沟槽技术,提供出色的Ros(ON),低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压。该器件适用于电池保护或其他开关应用。                           

特性:

  • 低RDS(ON)的高密度电池设计
  • 压控小信号开关
  • 坚固可靠
  • 高饱和电流能力
  • 应用领域:

  • 便携式设备负载开关
  • DC/DC转换器
  • n沟通MOSFET

    文档
    用户手册
    GOODWORK(固得沃克)_2N7002T数据手册(英文) 查看详情
    行业资料
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