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PSMN1R2-30YLD
1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
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- 描述
- 采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R2-30YLD
- 商品编号
- C22465456
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.616nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 293pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.079nF |
商品特性
- 具备250 A电流能力
- 超低的QG、QGD和QOSS,可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
- 具有软恢复特性的超快开关速度;s因子 > 1
- 低尖峰和振铃,适用于低EMI设计
- 独特的“肖特基增强(SchottkyPlus)”技术;在25°C时,具有类肖特基性能,漏电流 < 1 μA
- 针对4.5 V栅极驱动进行优化
- 低寄生电感和电阻
- 高可靠性的夹片键合和焊料芯片连接Power SO8封装;无胶水、无引线键合,可在175°C环境下使用
- 可波峰焊接;外露引脚便于进行最佳的目视焊接检查
应用领域
- 服务器和电信设备的板载DC-DC解决方案
- 电信应用中的次级侧同步整流
- 电压调节器模块(VRM)
- 负载点(POL)模块
- V-core、ASIC、DDR、GPU、VGA和系统组件的电源供应
- 有刷和无刷电机控制
- 电源或门(Power OR-ing)