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PSMN1R2-30YLD
1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
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- 描述
- 采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PSMN1R2-30YLD
- 商品编号
- C22465456
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.154667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 194W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.616nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 293pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.079nF |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻（Rdson）
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源