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3415E
P沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-20 阈值电压VGS:±10 Vth(V):-0.4～-1导通电阻RDS(ON) (mΩ):29/40 连续漏极电流ID(A):-5A ESDRating:2500V HBM
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- 3415E
- 商品编号
- C22458779
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
应用领域
- 锂电池保护-无线冲击-手机快充