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PJA3441_R1_00501
P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:40V 电流:3.1A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-10V，ID@-3.1A < 88mΩ。 RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-2.6A < 108mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 无铅，符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令。 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJA3441_R1_00501
- 商品编号
- C22458685
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 108mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 505pF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品概述
1N65是一款高压MOSFET，设计旨在具备更出色的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于电源、PWM电机控制、高效DC-DC转换器和桥接电路等高速开关应用中。
商品特性
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力，高抗扰性
应用领域
- 电源
- PWM电机控制
- 高效DC-DC转换器
- 桥接电路