商品参数
参数完善中
商品概述
DW02A/DW02B 系列电路是一款高精度的单节内置MOSFET 可充电锂电池的保护电路,它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。 正常状态下,DW02A/DW02B 的VDD 端电压在过电压充电保护阈值(ΔV_OC)和过电压放电保护阈值(V_OD)之间,且其V_M 检测端电压在充电器检测电压(V_CHG)与过电流放电保护阈值(V_EDI)之间,此时DW02A/DW02B 使内置N - MOS 管导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。 DW02A/DW02B 通过检测VDD 或VM 端电压(相对于GND 端)来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时,内置N - MOS 由导通变为截止,从而充/放电过程停止。 DW02A/DW02B 对每种保护状态都有相应的恢复条件,当恢复条件满足以后,内置N - MOS 由截止变为导通,从而进入正常状态。 DW02A/DW02B 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间,只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后,才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除,则不进入保护/恢复状态。 DW02A/DW02B 工作时功耗非常低,采用非常小的SOT23 - 5 的封装,使得该芯片非常适合应用于空间限制小的可充电电池组应用。
商品特性
- 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
- 内置低导通内阻N - MOSFET
- 高精度的过充电保护电压检测 4.275V±25mV
- 高精度的过放保护电压检测 2.425V±75mV
- 高精度过电流放电保护检测
- 电池短路保护
- 有0V 充电
- 带有过充、过放自动恢复功能
- 内部集成RC、内置MOSFET(无需任何外围器件)
- 超小型化的SOT23 - 5 封装
- MOSFET:R_SS(on)<100mΩ(V_GS = 3.7V, I_D = 1A)
应用领域
- 锂电池的充电、放电保护电路
- 电话机电池或其它锂电池高精度保护器
其他推荐
