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20N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:20A

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描述
1个N沟道 耐压:30V 电流:20A适用于电源开关和信号控制
商品型号
20N03
商品编号
C22449616
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.4452克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))29mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)5.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)10nC@10V
输入电容(Ciss)490pF@15V
反向传输电容(Crss)61pF@15V
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品概述

AO3400采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

商品特性

  • VDS = 30V,ID = 5.8A
  • 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 28mΩ
  • 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 34mΩ
  • SOT-23-3L封装

应用领域

  • 高功率和电流处理能力-符合无铅产品要求-表面贴装封装-PWM应用-负载开关-电源管理-N沟道MOSFET

数据手册PDF