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LKS570
用于驱动MOS/IGBT栅极的集成电路
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- 描述
- LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。
- 品牌名称
- LINKOSEMI(凌鸥创芯)
- 商品型号
- LKS570
- 商品编号
- C22447892
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.182275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 8V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 50ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 70uA | |
| 功能特性 | 死区时间控制 |
商品概述
LKS570 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。
商品特性
- 高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +250V
- 驱动电流1.2A/1.5A
- 可承受瞬时负压
- 芯片电源供电范围 8~20V
- 高低侧欠压保护功能
- 输入电平3.3/5/15V 兼容
- 内置250ns 死区时间
- SFH3710
- 16MM-9.5
- jietou
- 8cun-YING
- T-8cun
- 8cun-120*37
- D32M14
- JSG3 M3-M12
- WAFER-SUR0.8-2PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-3PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-4PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-5PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-6PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-7PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-8PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-9PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-10PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-11PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-12PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-13PLT-W1-P
- WAFER-SUR0.8-14PLT-W1-P