CID18N65D
氮化镓MOS
- 品牌名称Tokmas(托克马斯)
商品型号
CID18N65D商品编号
C22446733商品封装
DFN-8(8x8)包装方式
编带
商品毛重
0.266279克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
技术路线 | - | |
Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
Id-漏极电流(25℃) | 17A | |
Pd-功耗 | 113W | |
Vgs(th)-阈值电压 | 1.7V | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | 100mΩ;100mΩ |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(8V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(4.5V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(2.5V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 3.3nC | |
Ciss-输入电容 | 125pF | |
Crss-反向传输电容 | 0.5pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
梯度价格
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