CID10N65F
氮化镓MOS
- 品牌名称Tokmas(托克马斯)
商品型号
CID10N65F商品编号
C22446732商品封装
TO-220F-3L包装方式
管装
商品毛重
2.568421克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
Vds-漏源击穿电压 | 650V | |
Id-漏极电流(25℃) | 10A | |
Pd-功耗 | 75W | |
Vgs(th)-阈值电压 | 1.6V | |
RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(8V) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
RDS(on)-导通电阻(6V) | 160mΩ | |
RDS(on)-导通电阻(4.5V) | - | |
RDS(on)-导通电阻(2.5V) | - | |
Qg-栅极电荷 | 2.3nC | |
Ciss-输入电容 | 83pF | |
Crss-反向传输电容 | 0.4pF | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
Coss-输出电容 | 27pF |
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