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CID10N65F

氮化镓MOS

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描述
单管650V200毫欧
商品型号
CID10N65F
商品编号
C22446732
商品封装
TO-220F-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.568421克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)10A
耗散功率(Pd)75W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)2.3nC
输入电容(Ciss)83pF
反向传输电容(Crss)0.4pF
工作温度-50℃~+150℃
输出电容(Coss)27pF
导通电阻(RDS(on))160mΩ@6V

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