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BNESD5451N
双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：6A@8/20us
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- 描述
- BNESD5451N 是一款双向配置的固态硅雪崩技术器件，具有72瓦峰值脉冲功率（tp=8/20μs）。该器件具有低箝位电压和低漏电流，适用于数据/电源线的保护。它符合IEC 61000-4-2 ±25kV接触和±25kV空气放电标准，以及IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 和 IEC 61000-4-5 (雷击) 6.0A (8/20μs) 标准。该产品采用DFN1006封装，具有UL 94V-0阻燃等级，包装方式为卷带和卷盘，符合RoHS/WEEE标准。其应用范围包括手机及其配件、基于微处理器的设备、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、台式机和服务器、便携式仪器等。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNESD5451N
- 商品编号
- C22440696
- 商品封装
- DFN1006-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 12V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 6A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 72W@8/20us | |
| 击穿电压 | 7.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 14pF |
商品概述
BNESD5451N 是一款双向配置的固态硅雪崩技术器件，具有72瓦峰值脉冲功率（tp=8/20μs）。该器件具有低箝位电压和低漏电流，适用于数据/电源线的保护。它符合IEC 61000-4-2 ±25kV接触和±25kV空气放电标准，以及IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 和 IEC 61000-4-5 (雷击) 6.0A (8/20μs) 标准。
该产品采用DFN1006封装，具有UL 94V-0阻燃等级，包装方式为卷带和卷盘，符合RoHS/WEEE标准。其应用范围包括手机及其配件、基于微处理器的设备、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、台式机和服务器、便携式仪器等。
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理（PDA）
- 笔记本电脑、台式机和服务器
- 便携式仪器