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K6T1008C2E-GB70
K6T1008C2E-GB70
- 描述
- K6T1008C2E系列产品采用三星先进的CMOS工艺技术制造。该系列支持多种工作温度范围，并提供多种封装类型，为用户系统设计提供灵活性。同时，该系列支持较低的数据保持电压，可在电池备份操作下实现低数据保持电流。
- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K6T1008C2E-GB70
- 商品编号
- C22437427
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 10uA |
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- 18mm
- 580mm*220mm
- 4*21*2.0
- 220V 1500W
- MT53D512M32D2DS-046 WT:D