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K6T1008C2E-GB70
K6T1008C2E-GB70
- 描述
- K6T1008C2E系列产品采用三星先进的CMOS工艺技术制造。该系列支持多种工作温度范围，并提供多种封装类型，为用户系统设计提供灵活性。同时，该系列支持较低的数据保持电压，可在电池备份操作下实现低数据保持电流。
- 品牌名称
- SAMSUNG(三星半导体)
- 商品型号
- K6T1008C2E-GB70
- 商品编号
- C22437427
- 商品封装
- SOP-32
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | 1Mbit | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 50mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 功能特性 | - |
商品概述
K6T1008C2E系列采用三星先进的CMOS工艺技术制造。该系列支持各种工作温度范围，并拥有多种封装类型，方便用户进行系统设计。该系列还支持低数据保持电压，可在低数据保持电流下进行电池备份操作。
商品特性
- 工艺技术：TFT
- 结构：128Kx8
- 电源电压：4.5~5.5V
- 低数据保持电压：2V（最小值）
- 三态输出且与TTL兼容
- 封装类型：32-DIP-600、32-SOP-525、32-TSOPI-0820F/R