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BSC120N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC120N03
- 商品编号
- C22436720
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.833nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 437pF |
商品特性
- 漏源电压VDS=30V,漏极电流ID=120A
- 导通电阻RDS(on) 典型值=2.1mΩ(栅源电压VGS=10V时)
- 导通电阻RDS(on) 典型值=3.7mΩ(栅源电压VGS=4.5V时)
- 品质因数RDS(on)×Qgd低
- 100%经过雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-PWM应用-负载开关