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BSC100N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
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- 描述
- 应用在锂电保护、电机控制、电动工具、电源、储能
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC100N03
- 商品编号
- C22436719
- 商品封装
- PDFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 393pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的SGT技术制造。 该器件具备出色的栅极电荷和导通电阻RDS(on)，可大幅降低开关和传导损耗。因此，它非常适用于AC/DC电源转换、负载开关和工业电源应用。
商品特性
- 漏源电压VDS=30V,漏极电流ID=100A
- 当栅源电压VGS=10V时,导通电阻RDS(on)典型值为3mΩ
- 当栅源电压VGS=4.5V时,导通电阻RDS(on)典型值为4.1mΩ
- 品质因数RDS(on)×Qgd较低
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-PWM应用-负载开关