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BSC090N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:90A
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- 描述
- 应用在锂电保护、负载开关、小家电、果汁机
- 品牌名称
- KTP(科泰普)
- 商品型号
- BSC090N02
- 商品编号
- C22436717
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.124克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 81W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 445pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
PDFN5×6封装N沟道场效应管。
商品特性
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 90A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(on)典型值为2.8mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(on)典型值为4mΩ
- 品质因数RDS(on) × Qgd较低
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用和驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
-电源管理-PWM应用-负载开关