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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BRMJD112Q

NPN 电流:2A 电压:100V

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描述
TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管 用于中功率放大或开关电路,满足汽车应用的严格要求。
商品型号
BRMJD112Q
商品编号
C22400492
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.45392克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)2A
集射极击穿电压(Vceo)100V
耗散功率(Pd)20W
直流电流增益(hFE)1000@2.0A,3.0V
属性参数值
特征频率(fT)25MHz
集电极截止电流(Icbo)20uA
集射极饱和电压(VCE(sat))3V@4.0A,40mA
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

商品概述

TO-252 塑封封装 NPN 半导体三极管。 Silicon NPN transistor in a TO-252 Plastic Package.

商品特性

  • 直流电流增益高
  • E 与 C 间内置阻尼二极管
  • 电性能与 BRTIP112Q 等同
  • 符合 AEC-Q101 标准高可靠性要求
  • 无卤产品
  • High DC current gain
  • built-in a damper diode at E-C
  • electrically similar to popular BRTIP112Q
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
  • HF Product

应用领域

  • 用于中功率放大或开关电路,满足汽车应用的严格要求。
  • Medium power switching applications, Meet the stringent requirements of automotive applications.

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个2500个/圆盘

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