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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 1.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
商品概述
CGH40010是一款未匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。该晶体管工作于28伏电源轨，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。GaN HEMT具有高效率、高增益和宽带宽能力，使CGH40010非常适合线性和压缩放大器电路。该晶体管有螺丝固定法兰封装和焊接药丸封装两种形式。 封装类型：440166和440196 产品编号：CGH40010F和CGH40010P
商品特性
- 最高6 GHz工作频率
- 2.0 GHz时16 dB小信号增益
- 4.0 GHz时14 dB小信号增益
- 典型PSAT为13 W
- PSAT时效率为65%
- 28 V工作电压
应用领域
- 双向专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝基础设施
- 测试仪器 适用于OFDM、W - CDMA、EDGE、CDMA波形的A类、AB类、线性放大器