温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GD55B02GEBIRY
统一扇区标准和四路串行闪存，具备快速编程/擦除速度、灵活架构、高速时钟频率、低功耗、高级安全特性等
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD55B02GEBIRY
- 商品编号
- C22422735
- 商品封装
- TFBGA-24(6x8)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
GD55B02GE（2G位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持四路SPI和DTR模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。四路I/O和四路输出数据的传输速度为532Mbit/s，DTR四路I/O数据的传输速度为720Mbit/s。
商品特性
- 2G位串行闪存
- 256M字节
- 每个可编程页256字节
- 标准、四路SPI、DTR、QPI
- 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、RESET#
- 四路SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#
- QPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3、RESET#
- SPI DTR（双传输速率）读取
- 3或4字节地址模式
- 高速时钟频率
- 快速读取时为133MHz
- 四路I/O数据传输速度高达532Mbit/s
- QPI模式数据传输速度高达532Mbit/s
- DTR四路I/O数据传输速度高达720Mbit/s
- 允许XIP（即取即用）操作
- 高速读取可减少整体XIP指令提取时间
- 连续环绕读取可进一步减少数据延迟以填充SoC缓存
- 软件/硬件写保护
- 通过软件对全部或部分内存进行写保护
- 使用WP#引脚启用/禁用保护
- 单个块保护
- 快速编程/擦除速度
- 页编程时间：典型值0.15ms
- 扇区擦除时间：典型值30ms
- 块擦除时间：典型值0.15/0.22s
- 芯片擦除时间：典型值300s
- 灵活架构
- 4K字节扇区
- 32/64K字节块
- 擦除/编程暂停/恢复
- 低功耗
- 典型待机电流64μA
- 典型掉电电流8μA
- 高级安全特性
- 128位唯一ID
- 带OTP锁的4K字节安全寄存器
- 单电源电压
- 全电压范围：2.7~3.6V
- 耐久性和数据保留
- 最少100,000次编程/擦除循环
- 典型20年数据保留
- 封装信息
- TFBGA - 24球（5×5球阵列）