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MGD3162AM551EKT
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- 描述
- 该产品是一款先进的单通道栅极驱动器，专为驱动xEV牵引逆变器的最新SiC和IGBT模块而设计。它具备集成的电流隔离、通过SPI的可编程接口以及先进的可编程保护功能，如过温、去饱和和电流感应保护。具有集成升压能力，可直接驱动大多数SiC MOSFET和IGBT/SiC模块栅极，并能调节栅极驱动能力，以改善功率器件的开关性能并降低电压应力。可通过SPI命令或GS Enable引脚控制栅极强度，GS_ENH逻辑控制导通驱动强度，GS_ENL控制关断驱动强度
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MGD3162AM551EKT
- 商品编号
- C22420019
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
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