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HP8ME5TB1
N沟道+P沟道 100V 8A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装（HSOP8）。 无铅镀层；符合RoHS标准。 无卤。 100%进行Rg和UIS测试。应用：开关电机驱动
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- HP8ME5TB1
- 商品编号
- C22402469
- 商品封装
- HSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.345克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 148mΩ@10V；210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@10V；19.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 90pF；590pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF；4pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 37pF；25pF |
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