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ISO6521FREUR实物图
  • ISO6521FREUR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISO6521FREUR

ISO6521FREUR

描述
ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器,适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 200V_RMS/280V_DC 的工作电压,以及 570V_RMS/800V_DC 的瞬态过压。在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时,器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO₂) 绝缘栅相隔离。ISO6520 具有 2 个同向隔离通道。ISO6521 具有 2 个隔离通道,每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。这些器件有助于防止 UART、SPI、RS-485、RS-232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。得益于芯片设计和布局布线技术,器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
ISO6521FREUR
商品编号
C22399233
商品封装
VSON-8(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.093333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字隔离器
正向通道数1
反向通道数1
最大数据速率50Mbps
隔离电压(Vrms)200
属性参数值
CMTI(kV/us)150kV/us
工作温度-40℃~+125℃
工作电压(VCCA)1.71V~5.5V
工作电压(VCCB)1.71V~5.5V
传播延迟(tpd)11ns

商品概述

ISO652x 器件是高性能双通道功能隔离器,适用于需要与非安全应用隔离的成本敏感、空间受限型应用。该隔离栅支持 200V_RMS/280V_DC 的工作电压,以及 570V_RMS/800V_DC 的瞬态过压。在隔离 CMOS 或 LVCMOS 数字 I/O 的同时,器件可提供高电磁抗扰度、低发射和低功耗特性。每条隔离通道的逻辑输入和输出缓冲器均由 TI 的双电容二氧化硅 (SiO₂) 绝缘栅相隔离。ISO6520 具有 2 个同向隔离通道。ISO6521 具有 2 个隔离通道,每个方向各一个通道。如果输入功率或信号出现损失,不带后缀 F 的器件默认输出高电平,带后缀 F 的器件默认输出低电平。这些器件有助于防止 UART、SPI、RS - 485、RS - 232 和 CAN 等数据总线上的噪声电流损坏敏感电路。得益于芯片设计和布局布线技术,器件的电磁兼容性得到了显著增强,可缓解系统级 ESD 问题并符合辐射标准。

商品特性

  • 50Mbps 数据速率稳健可靠的 SiO₂ 隔离栅(CMTI 典型值为 ±150kV/μs)
  • 功能隔离(8 - EEU):200VRMS、280V_DC 工作电压;570VRMS、800V_DC 瞬态电压 (60s)
  • 功能隔离(8 - D):450VRMS、637V_DC 工作电压;707VRMS、1000V_DC 瞬态电压 (60s)
  • 采用爬电距离 > 2.2mm 的紧凑型 8 - REU 封装
  • 宽电源电压范围:1.71V 到 1.89V 和 2.25V 到 5.5V
  • 1.71V 至 5.5V 电平转换
  • 默认输出高电平 (ISO652x) 和低电平 (ISO652xF) 选项
  • 宽温度范围: - 40°C 至 125°C
  • 3.3V、1Mbps 时每通道电流典型值为 1.8mA
  • 低传播延迟:3.3V 时为 11ns(典型值)
  • 优异的电磁兼容性 (EMC):系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度;超低辐射
  • 无引线 DFN (8 - REU) 封装和窄体 SOIC (8 - D) 封装选项

应用领域

  • 电源
  • 电网、电表
  • 电机驱动器
  • 工厂自动化
  • 楼宇自动化
  • 照明电器

交货周期

订货83-85个工作日

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个3000个/圆盘

总价金额:

0.00

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