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U3115E

功率MOSFET/IGBT半桥驱动器

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描述: U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低
品牌名称: UNI-SEMIC(宇力半导体)
商品型号: U3115E
商品编号: C22398250
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.17075克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	450ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	-
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	70uA
	功能特性	内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

U3115E是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，可完全工作至 +350V，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达350V。

商品特性

集成自举二极管
浮动通道专为自举操作而设计
可完全工作至 +350V
耐受负瞬态电压，抗dV/dt干扰
U3115E栅极驱动电源范围为9至20V
VCC欠压保护
与3.3V、5V和15V输入逻辑兼容
交叉导通预防逻辑
两个通道的传播延迟匹配

应用领域

家用电器
工业应用与驱动器
电机驱动器
直流-交流转换器、永磁直流和永磁交流电机
感应加热

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	9V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	25ns