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U3115E

功率MOSFET/IGBT半桥驱动器

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描述: U3115E 是一款可在高达 +350V 电压下全功能运行的高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，支持低至 3.3V 的逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器的交叉导通降至最低
品牌名称: UNI-SEMIC(宇力半导体)
商品型号: U3115E
商品编号: C22398250
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.17075克(g)

商品参数

商品概述

U3115E是一款可在高达+350V电压下完全运行的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达350V。

商品特性

集成自举二极管
浮动通道专为自举操作而设计
可在高达+350V电压下完全运行
耐受负瞬态电压，具备dV/dt抗扰性
U3115E栅极驱动电源范围为9至20V
VCC欠压保护
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
具备交叉导通预防逻辑
两个通道的传播延迟匹配

应用领域

家用电器
工业应用和驱动器
电机驱动器
直流 - 交流转换器、永磁直流（PMDC）和永磁交流（PMAC）电机
感应加热
暖通空调（HVAC）

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个

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	9V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	25ns
	传播延迟 tpLH	450ns
	传播延迟 tpHL	150ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+150℃
	静态电流(Iq)	70uA