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HMMUN2233LT1G
NPN 50V 100mA
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- 描述
- 这款数字晶体管，内置1个预偏置NPN结构，特别适合数字电路应用。集射极击穿电压高达50V，保证了良好的安全性与稳定性。集电极电流能力达到100mA，功率消耗低至246mW，非常适用于低功耗、高效能的电子设计，如逻辑电路、信号放大及电源管理模块。它的小巧高效，为您的电子创新项目提供可靠动力，提升系统性能。
- 商品型号
- HMMUN2233LT1G
- 商品编号
- C22396410
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@5mA,10V | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 电阻比率 | 0.1 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 简化电路设计。
- 减少电路板空间和元件数量。
- 偏置电阻由薄膜电阻组成，具有完全隔离功能，允许输入负偏置。它们还具有几乎完全消除寄生效应的优点。
- 操作时只需设置开/关状态，便于器件设计。