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BSL215CH6327XTSA1-VB
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- SOT23-6；N+P—Channel沟道,±60V；±4A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSL215CH6327XTSA1-VB
- 商品编号
- C22395960
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
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