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RS512M32LX4D2BNR-53BT
RS512M32LX4D2BNR-53BT
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- 品牌名称
- Rayson(晶存)
- 商品型号
- RS512M32LX4D2BNR-53BT
- 商品编号
- C22394080
- 商品封装
- FBGA-200(10x15)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.866GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 内置温度传感器；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源，VDD1为1.70-1.95V，标称1.80V；VDD2为1.06-1.17V，标称1.10V；VDDQ为0.57-0.65V，标称0.60V，或VDDQ为1.06-1.17V，标称1.10V
- 频率范围1866-10兆赫兹，每引脚数据速率范围3733-20兆比特每秒
- 采用16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令与地址输入
- 每个字节通道配备双向差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度，支持16和32
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 每通道最高数据传输速率为8.53吉字节每秒
- 集成温度传感器以控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合有害物质限制指令的环保封装
- 阵列配置为512兆×32位，包含2个通道，每个通道16位输入/输出
- 封装内包含2个512兆×16位的芯片
- 采用200球细间距球栅阵列环保封装，尺寸为10毫米×15毫米×0.85±0.1毫米
- 速度等级周期时间为535皮秒，读取延迟为32或36
- 工作温度范围为-25℃到+85℃
- DA14592-010006F2
- TC-00104-045E-01
- TC-00104-055E-01
- TC-00104-060E-01
- TC-00104-065E
- TC-00104-075E
- TC-00104-080E
- TC-00104-085E-01
- TC-00104-090E-01
- TC-00104-095E
- TC-00104-100E
- TC-00121-050E
- TC-00121-060E
- TC-00121-070E
- TC-06104-045E
- TC-06104-055E-01
- TC-06104-060E
- TC-06104-065E-01
- TC-06104-075E
- TC-06104-080E
- TC-06104-085E-01