我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
MCF600N120S2E3实物图
  • MCF600N120S2E3商品缩略图
  • MCF600N120S2E3商品缩略图
  • MCF600N120S2E3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MCF600N120S2E3

1.2kV 600A

描述
模块采用JSCJ先进的沟槽和场截止(FS)IGBT技术,具有极低的集电极-发射极饱和电压,易于在驱动器和逆变器中使用。
商品型号
MCF600N120S2E3
商品编号
C22392038
商品封装
E3​
包装方式
盒装
商品毛重
351.6克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
集电极电流(Ic)600A
耗散功率(Pd)3.95kW
正向脉冲电流(Ifm)1200A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.15V@600A
栅极阈值电压(Vge(th))5.2V@23mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7.4uC
输入电容(Cies)128nF
开启延迟时间(Td(on))435ns
关断延迟时间(Td(off))625ns
导通损耗(Eon)55mJ
关断损耗(Eoff)35mJ
工作温度-40℃~+150℃
反向传输电容(Cres)1.47nF

数据手册PDF