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IAUCN08S7N013ATMA1
IAUCN08S7N013ATMA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUCN08S7N013ATMA1
- 商品编号
- C22391351
- 商品封装
- TDSON-8(5.5x5.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 175A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 219W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V@130uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.402nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.409nF |
商品概述
CMSA3811A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于广泛的电源应用。
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低导通电阻
- 表面贴装封装
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用