AUIRF4104S-VB
N沟道 耐压:40V 电流:100A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- TO263;N—Channel沟道,40V;100A;RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1~3V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AUIRF4104S-VB
- 商品编号
- C22389264
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V;6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.395nF |
商品特性
~~- 优化设计-低面积比导通电阻-低输入电容 (Ciss)-降低电容性开关损耗-高体二极管耐用性-雪崩能量额定值 (UIS)-最佳效率和运行性能-低成本-简单的栅极驱动电路-低品质因数 (FOM):Ron × QG-快速开关-符合 RoHS 标准-无卤
应用领域
- 消费电子-显示器(LCD 或等离子电视)-服务器和电信电源-开关电源 (SMPS)-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-功率因数校正 (PFC)
