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HM3N10MR-VB
N沟道 耐压:100V 电流:2A
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- 描述
- SOT23；N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HM3N10MR-VB
- 商品编号
- C22389792
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 沟道型功率 MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行 Rg 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 标准
- 无卤
- N 沟道 MOSFET