温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHLZ44S-VB
N沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,60V；50A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=10V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SIHLZ44S-VB
- 商品编号
- C22389663
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 提供卷带包装的表面贴装形式
- 动态 dV/dt 额定值
- 逻辑电平栅极驱动
- 快速开关
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 或门应用
- 服务器
- DC/DC